热载流子效应造句

对深亚微米器件中热载流子效应(hce)进行了研究。

研究了MOS器件中的热载流子效应，在分析了静态应力下MOSFET寿命模型的基础上，提出了动态应力条件下MOSFET的寿命模型。

随着MOS器件尺寸逐渐减小，由热载流子效应导致的损伤变得越来越严重，已成为影响器件*能的主要失效机制之一。