溅*制备造句

采用*频溅*制备bst薄膜，研究了薄膜的介电击穿特*。

第五章研究了直流磁控溅*制备Sb掺杂TiO成膜特点。

研究了离子束溅*制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程。

研究结果表明，磁控溅*制备的碳*膜为非晶结构。

最后使用磁控溅*制备了锑锡合金薄膜，并改变参数制备出不同结构及*能的薄膜。