击穿电压造句
触发真空间隙。静电击穿电压50千伏。
因此击穿电压的检测必须重视电介质击穿现象的电参数值的测量。
响应时间对于确定击穿电压非常重要。
本文研究平行平面穿通结击穿电压的计算。
正如图1所示,而从电压Uc开始,漏电电流迅速增加,击穿电压达到Ue。
发生单气隙放电时气隙的击穿电压要比双气隙放电时气隙的击穿电压小。
用途:用于*电行输出和高击穿电压驱动。
辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小。
概述了虚火花放电的特*[],如工作气压和击穿电压等。
开关电极孔径增加时,开关电感增加,电阻降低,自击穿电压降低。
在开关气压和输入脉冲幅度不变时,输入脉冲上升沿越快,开关的击穿时延越小,击穿电压越高。
源表首先进行必要的直流测试,例如正向偏压、反向击穿电压和漏流。
通过金卤灯的温升—时间关系、气压—时间关系以及压力—击穿电压的关系,得出了金卤灯在不同阶段的时间—击穿电压的关系。
采用译码器构成单总线控制,设计了智能电压源组成气体放电管直流击穿电压自动测试系统。
当反向偏置形成时,半导体的连接点会有反向击穿电压。
放电间隙较大的静止状态下,直流电压正极*和交流电压下气固混合两相体的击穿电压都大于相同条件下单一空气的,而直流电压负极*时则相反。
加速氧化会使变压器油*值增加,.对变压器油的*值和击穿电压进行了测定.
处理后,器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了,栅漏击穿电压有了显著提高。
源-测量单元还可以测量其它的二极管参数,包括正向电压降和击穿电压。
实验结果显示:HfO栅介质电容具有良好的C-V特*,较低的漏电流和较高的击穿电压。
取得了在所研究的间隙形状和电压波形下流注发展的统计临界外场强判据;找出了流注电压与击穿电压之间的关系;
模拟结果显示,该结构可以使*频功率双极*晶体管的击穿电压几乎达到平行平面结的理想值。
为了满足一定的击穿电压,薄膜SOI高压电路一般采用漂移区线*掺杂技术,但其工艺复杂,且自热效应严重;
考察了阻燃剂**脒基脲浓度、浸渍处理时间对阻燃效果的影响,并研究了绝缘纸经阻燃处理后热降解参数、剩炭率、击穿电压的变化情况。
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