介质击穿造句

它们是热膨胀、汽化和介质击穿。

因此击穿电压的检测必须重视电介质击穿现象的电参数值的测量。

根据影响介质击穿的主要因素，阐述了交流耐压击穿装置的容量指标问题。

提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。

在介质击穿的情况下，出现了一种不同类型的加速。

在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上，讨论了绝缘氧化层加上一次线*电场条件下发生介质击穿的机理。

通过固体电介质击穿理论的分析，提出由局部*缺陷发展逐渐导致介质击穿需要较长的发展时间。

二百零其次，进行了抛光电极表面和添加乙二醇对加压水介质击穿影响的研究。