偏置造句

我们必须十分重视晶体管的偏置.

脉冲的电压，宽度，预设直流偏压和偏置时间可以由用户设定。

加速度计的偏置误差形成一平均的常值偏离加上一振荡分量.

为了消除内部的偏置，由偏置或漂置补偿电路在测量周期的特定期间来测量前置放大器的偏移电压。

在这种情况下，最好使用偏置补偿欧姆法而不使用电流反向法来消除偏置。

这个电阻称为分流电阻，可将电桥电压偏置为零。

最后，研究了共面波导自偏置环行器的设计方法。

通过施加规定的反向偏流，然后测量二极管两端的电压，即可测得反向偏置电流。

在测量高电阻源时要考虑的另一个问题是电压表的输入偏置电流。

在确定SMU的输入端压降时，必须包括电压源所使用量程的偏置电压。

接收电路设计给出了完整的解决方案，解决了高压偏置电路、前置放大器的设计等技术难题。

研究表明：偏置直流的增加，降低了材料的磁导率，提高了截止频率，并且在一定偏置直流范围内，磁导率呈线*变化。

此外，湿度或湿气还能够与存在的污染物结合起来，产生电化学效应，并产生偏置电流。

非线*偏置隧道二极管单稳线路，在毫微秒脉冲技术中有广阔的应用前途。

阐述高功率结式环行器的温度特*与偏置磁场的内在联系，给出提高温度特*的方法。

随着现代通信电子技术的发展，迫切需要低噪声、高增益、低偏置、小体积的*频放大器。

利用多边形外角定理的推广，判断偏置后曲线多边形的旋向，删除多余多边形。

针对偏置动量轮系统，基于经典控制论设计了俯仰通道的PID控制律和滚动—偏航通道的非最小相位控制律。

用静电计进行电荷测量时容易受到几种误差源的影响，其中包括：输入偏置电流、输入端压降、产生电流和低的源阻抗等。

对永久磁铁产生的偏置磁场进行了分析，并将永久磁铁产生的磁力与电磁铁产生的磁力进行对比；

MOSFET的输入二极管是由一个电场控制在门区，因此总是输入阻抗非常高，因为没有正向偏置二极管，以降低输入阻抗。

该电路采用了对称结构充放电流镜，自偏置高摆幅共源共栅镜像电流源和电流开关加速电路，提高了高速工作时电路的稳定*，消除了电压跳变现象，解决了充放电流不匹配的问题，且输出摆幅较大。