MRAM造句

MRAM Magnetic Random Access Memory

There is still a long way to go before MRAM is ready for prime time.

Study of the Magnetic Sandwich and Its Application Characteristics for MRAM Devices;

IBM, collaborating with Germany's Infineon Technologies, has developed a one megabit (million bit) MRAM chip at its laboratories in East Fishkill, New York.

在MRAM存储器达到万事齐备、只欠东风之前还有一段很长的路要走。

据两家公司的联合声明称，MRAM是一种非易失*存储技术，它具备速度极快和耗电量低的优点。

磁*随机存取存储器(MRAM)的运行是通过在两层芯片上蚀刻十字交叉形导线格栅——横向导线在垂直导线之下。

有些公司现在已经对发展MRAM踌躇不前，他们估计另一种形式的随机存取记忆体不太可能会赚大钱。

IBM与德国英飞凌技术公司合作，在其位于纽约东费什基尔的实验室开发出一块1兆(百万位)MRAM芯片。

第一代MRAM的数据写入方式主要是向导线中通电使其周围产生磁场，从而改变邻近的存储单元的磁化程度。

多年以来，无数MRAM及其它多种所谓的“下一代存储技术”的开发厂商曾多次在各种场合鼓吹称他们研发的技术将会取代其它各种现有的存储产品，实现存储市场“天下大一统”的目标，“你们信不信，反正我信”云云。