砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:(1)基态Ga...
问题详情:
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1) 基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar] ▲ 。
(2) 根据元素周期律,元素的电负*Ga ▲ (填“大于”或“小于”,下同)As,第一电离能B ▲ Ga;BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是 ▲ 。
(3) 杀虫剂Na3AsO4中*离子的空间构型为 ▲ ,As原子采取 ▲ 杂化。
(4) GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是 ▲ 。
(5) 原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm,
它的晶胞结构如右图所示。该晶胞内部存在的
共价键数为 ▲ ;该晶体的密度为 ▲
g·cm-3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)
【回答】
(1) 3d104s24p1
(2) 小于(1分) 大于(1分)
NH3中的N具有孤对电子,BF3中的B核外具有空轨道
(3) 正四面体 (1分) sp3 (1分)
(4) GaF3是离子晶体,GaCl3是分子晶体,离子晶体GaF3的熔沸点高;
(5) 16
知识点:物质结构 元素周期律
题型:综合题
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