目前半导体生产正在进行一场“铜芯片”*：在硅芯片上用铜代替铝布线。古老的金属铜在现代科技应用上取得了突破。用...

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目前半导体生产正在进行一场“铜芯片”*：在硅芯片上用铜代替铝布线。古老的金属铜在现代科技应用上取得了突破。用黄铜矿(主要成分为CuFeS2)生产粗铜，其反应原理如图：

(1)基态铜原子的价电子排布式为______，硫、氧元素相比，第一电离能较大的元素是_____(填元素符号)。

(2)反应①、②中均有SO2气体生成，SO2分子的中心原子杂化类型是____，其立体结构是____。

(3)某学生用硫*铜溶液与氨水做了一组实验：CuSO4溶液蓝*沉淀沉淀溶解，得到深蓝*透明溶液。生成蓝*沉淀溶于氨水的离子方程式为____；

(4)铜是第四周期最重要的过渡元素之一，其单质及化合物具有广泛用途。铜晶体中铜原子堆积方式为________；铜的某种氧化物晶胞结构如图所示，若该晶体的密度为dg/cm3，阿伏加德罗常数的值为NA，则该晶胞中铜原子与氧原子之间的最近距离为________pm。(用含d和NA的式子表示)

【回答】

3d104s1    O    sp2    V型    或

    面心立方最密堆积    1010pm   

【详解】

（1）铜位于第四周期IB族，价电子包括最外层电子和次外层电子的d能级，即铜原子的价电子为3d104s1，同主族从上到下第一电离能减小，即O的第一电离能最大；

（2）产生的气体为SO2，中心原子S的含有2个σ键，孤电子对数 =1，杂化轨道数为3，即类型是sp2，立体结构是V型；

（3）形成络合物，其离子反应方程式为：或；

（4）铜晶体的是面心立方最密堆积，O的个数为8×＋1=2，铜位于体心，化学式为Cu2O，晶胞的质量为g，根据晶胞的密度定义，晶胞的边长是cm，铜和氧原子最近的原子之间距离是体对角线的，因此距离是1010pm。

知识点：物质结构与*质综合考查

题型：综合题