漂移区造句

以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。

提出非均匀厚度漂移区soi高压器件新结构及其优化设计方法。

此外，漂移区采取线*变掺杂，掺杂浓度自阱区到漏极方向逐渐增大，很好地优化了横向电场分布。

基于分区求解二维泊松方程，提出了阶梯掺杂漂移区soi高压器件的浓度分布优化模型。

该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极*晶体管的影响，获得了开态下ldmos漂移区中的电场分布。