场效应晶体管造句

场效应晶体管，特别是双扩散场效应晶体管，及其制造方法。

然而场效应晶体管多时候都比两极晶体管有优势。

相比矩形结构磁敏场效应晶体管，扇形磁敏场效应晶体管具有更高的相对灵敏度。

现代电压基准建立于使用集成晶体管和带状能隙基准、掩埋齐纳二极管和结场效应晶体管。

半导体器件。分立器件和集成电路。第8部分：场效应晶体管。

此外，振荡器应该使用被晶体生产厂商建议的分立的双极型场效应晶体管输出。

新型双极结型场效应晶体管(BJFET)兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。

GB/T6219-1998半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

为适应高阻抗需要，仪器输入电路中须用特殊设计的静电计专用电子管、场效应晶体管。

在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法。

这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。

在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。

他可以解释这样的事实：10伏特已经足够开通金属氧化物场效应晶体管的导电沟道。

更高幅值的振荡导致场效应晶体管更低的漏源极开通电压幅值来产生更低的开关损耗和更高的系统效率。

本文叙述采用双栅砷化镓场效应晶体管和高优值硅外延变容二极管实现UHF电子调谐器低噪声化的有关设计和实验结果。

供电电源则将14只功率场效应晶体管MOSFET接入电源变压器次级，两绕组的全部组合可构成18个不同扎数的次级。

研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件*能的影响，结果表明接触电阻是影响器件*能的主要因素。

神经芯片技术是一种将神经元或脑组织与场效应晶体管技术结合起来研究神经元电活动和大脑学习记忆等高级功能的新技术。