沟道区造句

然后在氧等离子体中用电子束刻蚀法去除沟道区石墨烯形成晶体管的沟道。

特定来说，在非易失*存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。