扩散长度造句

结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法。

当少子扩散长度与衬底厚度的比值为2.5-3时，具有铝背场结构的单晶硅电池可获得最佳的输出特*。

本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法，采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响；

方法：本文首先介绍脉冲中子源法测量介质的扩散长度的原理及推导过程，然后讲解发生器的设计与原理。