SOI造句

1、SOI Novel Structure Fabrication and Investigation of Suspended Type Thin Film Resonator Based on SOI;

2、Methods for preparation of SOI wafers and the physical properties of SOI wafers are examined. And the latest development of HV SOI devices and SPIC"s are summarized."

3、SOI-based Cell Electrofusion Chip

4、Improvement on SOI DTMOSFET Structure

5、SOI Compliant Substrate for GaN Epitaxial Growth;

6、Total Dose Radiation Characteristics of SOI MOSFET

7、Investigation into Low Insertion-Loss & High Isolation SOI RF Switch

8、Investigation of Special SOI Materials, Devices and SnO_2 Nanostructures;

9、SIMOX is one of the most promising SOI technologies.

10、Latch behavior in partially-depleted SOI (PDSOI) NMOS/CMOS

11、Fundamental Research of SOI Optical Waveguide and Optical Splitter;

12、In order to obtain good compromise of the breakdown voltage and the specific on-resistance of SOI-LDMOS, a SOI-LDMOS with trench oxide in drift region is proposed.

13、The thick SOI films were prepared by SIMOX technology and Si epitaxy process.

14、Study on the Crosswise Multi-Gate SOI MOS and Its Application in Circuits;

15、为了获得SOI - LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷，提出了一种漂移区槽氧soi - LDMOS高压器件新结构。

16、Processors built using SOI are another are not yet in mass production.

17、An 8×8 Rearrangeable Nonblocking SOI Thermo-optic Waveguide Switch Matrix

18、基于SOI的智能功率集成电路也得到开发。

19、The characteristics and processing methods of ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth), one of SOI technologies, have been described.

20、利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。

21、然而，SOA整合中心不同于面向服务的整合(service - orientedintegration,SOI)。

22、The fabrication process of a compact planar waveguide etched-grating(EDG) demultiplexer based on silicon-on-insulator(SOI) is studied.

23、用硅绝缘器(SOI)制造处理器是另一码事，它们尚未批量生产。

24、Coplanar transmission lines and integrated inductors are fabricated on different SOI substrates with standard CMOS processes. The attenuation mechanism of the CPW and inductor is analyzed.

25、传感器的结构建立在SOI材料上，在关键工艺中采用硅熔融键合技术。

26、本文分析了SOI脊波导的单模条件，结合SOI波导模型提出了内嵌圆式正八边形谐振腔的回音壁模式滤波器。

27、SOI衬底顶层硅呈现高阻状态，合适温度的退火可以明显降低SOI衬底顶层硅电阻率，也可部分减少外延高阻过渡层厚度。

28、南方涛动指数（SOI）的波动在过去两个星期仍然为高正值。

29、Silicon-on-Insulator (SOI), boasting good optical, electronic and mechanical properties, is one of the common materials of Integrated Planar-Lightwave-Circuits (PLCs).

30、在部分耗尽型SOI结构中，SOI中顶层硅层的厚度为50-90nm，因此沟道下方的硅层中仅有部分被耗尽层占据，由此可导致电荷在耗尽层以下的电中*区域中累积，造成所谓的浮体效应。

31、也许芯片厂商还在为将FD-SOI技术应用到移动领域的有关设计问题感到担忧。

32、绝缘体上的硅（SOI）材料是制作平面光波导器件的一种主要材料，具有良好的光学、电学和机械特*。

33、为了解决SOI材料的抗辐照总剂量问题，我们提出使用氮氧共注入形成的多埋层SOIM新结构。

34、同时，论文也对基于SOI材料的集成波导转弯微镜的结构及损耗、偏振特*作了总结。

35、报道了用氦离子注入智能剥离形成SOI结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透*电镜研究的结果。

36、为了提高电容式触觉传感阵列的*能，本工作以SOI材料中异质结界面作为深槽腐蚀中腐蚀自停止界面，以提高硅膜片的表面平整度和厚度均匀*。

37、工艺和*能模拟分析表明，此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特*，而且能抑制自加热效应和浮体效应。

38、介绍了RFSOICMOS技术的特点。着重论述了RF SOI CMOS技术的低串扰特*、低损耗特*及其优质无源元件的*能。

39、与传统体硅技术相比，SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、良好的隔离、寄生效应小以及可靠*高等优点。

40、模拟和测量的结果*DSOI器件与SO I器件相比，具有衬底热阻较低的优点，因而DSOI器件在保持SOI器件电学特*优势的同时消除了SO I器件严重的自热效应。