少子寿命造句

三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿命。

研究了为提高基区少子寿命而进行*吸收的机理。

单晶硅退火处理时，往往造成外来杂质的沾污，降低少子寿命，造成质量下降。

采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片，采取铂扩散的方法引入复合中心，从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间。