晶体生长造句

从晶体生长的基本原理出发，提出了按非连续机制生长的斜长石晶体结晶速率表达式.

同时在结晶器中增加细晶排出装置，降低晶核数量，提高晶体生长速率，达到改善结晶质量的目的。

对该突变体酶进行了晶体生长研究，获得了较大的单晶体。

探讨了晶体生长过程中*心形成机理。

超导磁体系统产生的磁场力可抑制晶体生长过程中的自然对流，从而提高晶体结晶质量。

并对晶体生长的工艺参数进行了优化，得到了高质量的单晶体。

晶体生长形成结晶金属原子最后到达点阵中的固定位置，晶体逐渐长大。

指出了晶体表面结构，显示了负离子配位多面体在晶体生长过程中的结晶轨迹。

在实际晶体生长过程中，熔体对流对晶体生长的影响是不可避免的，因此本文研究有对流作用的晶体生长问题。

籽晶方法生长金刚石采用温度梯度技术，金刚石晶体生长驱动力来源于腔体内构造的温度梯度。

详细讨论了各种因素对晶体生长的影响。

利用实时观察方法对锗*铅晶体生长枝蔓晶的生长过程进行了描述和分析。

另外，晶体生长过程中放肩阶段生长速率的突变则是导致孪晶形成的主要的外部因素。

晶体表面上杂质、缺陷、生长中心和台阶结构的显微观察表明，高温高压下合成的立方氮化硼晶体具有通常条件下晶体生长的一般特征。

本文提供了实时观察高温熔体晶体生长的新方法。

为了获得高质量的晶体，需要解决大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。

再根据晶体大小分布理论（CSD），计算出斜长石的晶体生长速率、成核密度及成核速率等岩浆结晶动力学参数；

研究合成条件，包括晶种、合成液碱度以及合成时间对ETS-4晶体生长和膜形成的影响。

缓凝剂在二水石膏晶胚表面的吸附，使其晶体生长受阻，成为水化的控制过程。

本文以蔗糖过饱和溶液为研究对象，研究了声场对糖液结晶，尤其是对晶体生长的影响。

该设备应用定向固化技术，经融化、定向晶体生长，通过60小时左右铸成多晶硅铸锭。

物理风化:热胀冷缩、*楔作用、剥离作用和晶体生长。

详细地介绍了寻找适合于此晶体生长的最佳助熔剂，并给出BaB__—BaF_BaB__BaCl_BaB

根据自然金晶体生长和台阶运动的动力学以及台阶聚并规律，自然金的晶体形态和晶面微形貌具有较强规律*。

介绍了气相中晶体生长的方法，如辉光放电溅*法和离子束溅*沉积法以及晶体外延生长的方法。

利用接种生长方法研究了TATMP对过饱和溶液中碳*钙晶体生长速度的影响。

结果表明，过冷纯熔体中非快速凝固晶体生长的液固界面是不稳定的。

一百零对不同*基链长度及浓度对影响晶体生长的条件作了探讨，得到了最优化方案。

在生产中，为提高其成品率和可靠*，从晶体生长到器件封装每一步工序均有很多细致工作要做。

他知道自己将会代表一个生物科技公司进行蛋白质晶体生长的试验。

第二种方法是一种新颖的建模策略，它把晶体生长率作为非线*逼近器的人工神经网络（ANN）与由蔗糖晶体质量平衡所表述的先前既定的知识相结合。

同时探讨了晶体结构中阳离子的种类及占位；掺杂离子的种类、占位及价态对晶体生长及*能的影响。

测定了OSO在苯和*苯中的溶解度曲线，并用溶液降温法进行了晶体生长的实验。

而且，随着复方金钱草浓度的增加，一水草*钙晶体生长抑制指数增大。

在空间晶体生长实时观察装置上，利用熔液中形成的铌*钾微晶作示踪粒子，首次在空间高温氧化物熔液内，实时观察和记录了空间表面张力对流效应。

实验结果表明，KTP晶体生长机制与原子化的BCF生长理论的面扩散或体扩散的线*定律与抛物线定律相吻合。

再略为详细地讨论液相外延生长过程，因为晶体生长是实现集成光路使用的必不可少的一个环节。

用晶体生长装置，将倒置的铱金坩埚加热，是移出其中剩余的钇铝石榴石固化熔体方便有效的方法。

用体外模拟方法研究了从海藻异枝麒麟菜中提取的硫*多糖（ESPS）对尿结石患者尿液中草*钙晶体生长的影响。

作者根据晶体生长和矿物学思想，在实验室利用蛭石、*灰石、方解石和炉渣对人工配水和生活污水进行了除*实验研究。

所使用的方法包括化学氧化法,在高温下用高压氧直接氧化以及化学计量准确的二氧化铅在溶液相中的晶体生长。

原理说明晶体生长中最成功的控制技术是拾取弯月面形状变化的信号来加以调节，称重法就是这种技术之一。