高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：①SiO2+2CSi+2CO②S...

问题详情：

高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：

①SiO2+2CSi+2CO②Si+3HClHSiCl3+H2③HSiCl3+H2Si+3X

反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅；三*硅*（HSiCl3）的沸点是 31.8℃．下列有关说法不正确的是（　　）

A．反应③中X 的化学式为 HCl 

B．三*硅*由*、硅、*三种元素组成 

C．三*硅*中硅、*元素的质量比为 1：3  

D．反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅

【回答】

【分析】根据给出的转化关系对应的过程分析每个对应的问题，或者直接分析每个问题，从给出的信息中找对应的信息。

【解答】解：

A、③HSiCl3+H2Si+3X，根据质量守恒定律可知，反应③中X 的化学式为 HCl．正确；

B、三*硅*（HSiCl3）由*、硅、*三种元素组成。正确；

C、三*硅*（HSiCl3）中 1：3是硅、*元素的原子个数比而非质量比。错误；

D、反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅。正确；

故选：C。

【点评】读信息，从中获得解答题目所需的信息，所以在解答题目时先看解答的问题是什么，然后带着问题去读给出的信息进而去寻找解答有用的信息，这样提高了信息捕捉的有效*。

知识点：各地中考

题型：选择题