杂质浓度造句

向上凹的固液界面造成铸锭中部的杂质浓度高于边部的杂质浓度。

这个值是被用于校准的钢瓶气相应杂质浓度。

最后讨论了析出的钼化物对杂质浓度深度分布的影响。

与常温情况相比，低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。

随着再结晶次数的增加，晶体中的杂质浓度和缺陷浓度明显降低，晶体的耐辐**能明显提高。

硼是半导体材料中最主要的杂质，而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一。

本文叙述了与*净化技术有关的内容，包括*中杂质浓度、净化理论、冷阱效率和冷阱再生等问题。

这为改进激光诱导扩散工艺，用多次曝光实现面均匀的杂质浓度分布奠定了理论基础。

论述了杂质渗入到多孔薄膜后，薄膜中的杂质浓度分布的理论解释，给出了对实际工艺的指导*结论。

二百零以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标，研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。