非晶半导体造句

本文首先简要地回顾了非晶半导体的历史和近年来含*非晶硅瞋的迅速进展。

通过计算电子由一种缺陷中心向另一种缺陷中心的跳跃几率，解释了非晶半导体中的低温带隙跳跃导电问题。

在荷电的悬挂键模型下，计算了各种情况下的费密能级和电子浓度。并对两类不同的非晶半导体作了详细的讨论。