复合中心造句

另外，间隙硅原子填充了空位或复合中心从而导致寿命提高。

采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片，采取铂扩散的方法引入复合中心，从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间。

我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移，由氧化作用产生的非辐*复合中心导致光致发光效率的下降。