硅的造句

他认为硅的熔点非常高。

这是他对硅的预测。

硅的熔点是958，形成二氧化硅，很高的熔点。

多晶硅用钡掺杂并且在含有低于约0.5%的不溶于硅的气体的二氧化硅坩埚中熔化。

本发明涉及多晶硅副产物四*化硅的回收利用方法，属于多晶硅生产技术领域。

熔硅玻璃是极佳的玻璃，但由于纯硅的熔点很高，所以制造费用昂贵。

硅溶胶是二氧化硅的微粒分散于水中的胶体溶液。

多晶硅的原材料主要来源于高纯度工业硅、液*及*气。

但是该设备需要在硅芯载体上进行多晶硅的生产。

推究了高温下四*化硅与氨反应合成氨化硅的过程机理。

硅溶胶是二氧化硅的胶体微粒分散于水中的胶体溶液，由硅溶胶的特殊*质和特点出发，讨论总结了硅溶胶的制备方法。

但是，硅的脆*也限制了其应用范围。

硅的内部结构是一个四面体。

投资者们现在赶紧投资必不可少的硅的工厂。

为了降低工业硅中的钙、铝含量，介绍了氧气底吹精炼工业硅的工艺设备和工艺*作。

硅化物可以提供用于结晶化的模板，降低了硅的缺陷密度并且提高了其导电*。

SOI指的是在IC的制造过程中采用硅+绝缘层+硅的硅基体结构方式，这种结构方式的优势是可以减小器件的寄生电容并改善器件的*能。

不锈钢或普通铁质菜*创口中，发现同时含有铁、铬、硅或铁、锰、硅的颗粒；

用于增强和取代多晶硅的难熔金属和难熔金属硅化物通常是用物理蒸发沉积工艺沉积的。

三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿命。

波导是芯片表面上的脊，可以控制光信号；多晶硅是硅的一种形态，由许多微小的、不同的晶体硅簇在一起。

电火花加工太阳能级硅，硅的体电阻是影响加工效率的决定因素，而不同的进电方式会使硅有不同的体电阻。

重点介绍了四*化硅的制备及精制工艺。

用PHI扫描俄歇探针对二氧化硅标样测定了氩离子对二氧化硅的溅*速率。

25微米以上线宽的时候，用的隔离工艺是硅的局域氧化工艺。

研究了以掠入*的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。

软水（低钙及镁）有较高的硅的级别，能展示甜点后，提供美好的甜软感。

随着腐蚀时间的延长，多孔硅的发光峰位也发生蓝移。

报道多孔硅的表面钝化对其光致发光和电致发光的影响。

因为最小可控硅的导通电压降的缘故，热损耗显得至关重要。

我们还使有机硅的电子配件和游泳和跳水的产品。

均密石英岩非常坚硬,致密,结构均匀,含硅的沉积岩,用作磨石.

均密石英岩非常坚硬，致密，结构均匀，含硅的沉积岩，用作磨石。

将快速热处理（RTP）引入到快中子辐照掺氮直拉硅的内吸杂工艺中。